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서울소재 기업들의 기술사업화를 지원하기 위하여 서울주요대학에서 보유한 특허현황을 제공합니다.

No.	특허내용
9988	고밀도 금속 나노클러스터 함유 실리콘 나노와이어 및 그의 제조방법(Silicon nanowire comprising high density metal nanocluster and process for preparing the same) 출원번호 : 1020100030504 \| 출원일 : 2010.04.02 \| 출원인 : 삼성전자주식회사\|동국대학교 산학협력단
9987	국부 전원 공급 장치 및 이를 포함하는 풍력 발전 시스템(Local power supply and wind power generation system including the same) 출원번호 : 1020100030470 \| 출원일 : 2010.04.02 \| 출원인 : 한양대학교 산학협력단
9986	비트라인과 접지선택라인이 연결된 스타구조를 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 동작방법(NAND FLASH MEMORY ARRAY HAVING STACKED ARRAY TIED BIT LINE AND GROUND SELECT LINE AND OPERATION METHOD THEREOF) 출원번호 : 1020100030609 \| 출원일 : 2010.04.02 \| 출원인 : 서울대학교산학협력단
9985	전기적 초기화로 층간 구별되는 3차원 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법(3D NAND FLASH MEMORY ARRAY SPLITTING STACKED LAYERS BY ELECTRICAL ERASE AND FABRICATION METHOD THEREOF) 출원번호 : 1020100030588 \| 출원일 : 2010.04.02 \| 출원인 : 서울대학교산학협력단
9984	종이를 기판으로 이용하는 트랜지스터 및 메모리 장치와 그 제조방법(Paper-substrate transistor and memory device, and method of manufacturing the same) 출원번호 : 1020100030295 \| 출원일 : 2010.04.02 \| 출원인 : 서울시립대학교 산학협력단
9983	그래핀과 풍교 게이트를 이용한 나노 트랜지스터 및 그 제조 방법(Nano transistor utilizing graphene and air-bridge gate, and method for manufacturing the same) 출원번호 : 1020100030454 \| 출원일 : 2010.04.02 \| 출원인 : 서울시립대학교 산학협력단
9982	그래핀과 전도체 선을 이용한 나노 트랜지스터(Nano transistor utilizing graphene and conductor line) 출원번호 : 1020100030453 \| 출원일 : 2010.04.02 \| 출원인 : 서울시립대학교 산학협력단
9981	그래핀과 전도체 선들을 이용한 나노 트랜지스터(Nano transistor utilizing graphene and conductor lines) 출원번호 : 1020100030452 \| 출원일 : 2010.04.02 \| 출원인 : 서울시립대학교 산학협력단
9980	발광 다이오드 패키지(Lighting emitting diode package) 출원번호 : 1020100030215 \| 출원일 : 2010.04.02 \| 출원인 : 엘지디스플레이 주식회사\|연세대학교 산학협력단
9979	그래핀과 자성체를 이용한 나노 트랜지스터(Nano transistor utilizing graphene and magnetic body) 출원번호 : 1020100030450 \| 출원일 : 2010.04.02 \| 출원인 : 서울시립대학교 산학협력단

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